2 GB pamieci Flash
Samsung Electronics ogłosił w poniedziałek, że uruchomienie testowej produkcji kart pamięci flash 2 Gb wykonanych w technologii 90 nanometrów, zakończyło się pełnym sukcesem. Szef działu produkcji pamięci Samsunga - Hwang Chang-kyu - powiedział, że już w połowie przyszłego roku firma może rozpocząć masową produkcję 20 tysięcy układów miesięcznie. W celu zwiększenia efektywności inwestycji, Samsung jednocześnie będzie produkował pamięci DRAM i karty flash.
Wbrew kiepskiej kondycji rynku, Samsung planuje zwiększenie sprzedaży w trzecim i czwartym kwartale. Pojemne układy flash mogą trafić do niektórych rozwiązań przenośnych, w których obecnie stosuje się twarde dyski.
Kolejną firmą która ma w planach produkcję pomniejszonych układów jest Intel, który rozpocznie produkcję "nano chipów" w drugiej połowie przyszłego roku.
(4D)
