Opracowano terahercowy tranzystor, który bije na głowę te obecnie stosowane
W końcu szykuje się duża rewolucja w świecie tradycyjnych elektronicznych układów obliczeniowych. Dzięki nowej technologii, wydajność systemów tak wzrośnie, że nawet najmniejsze urządzenia będą oferowały potężne możliwości.
Terahercowe tranzystory nie są nowością, bo pierwsze zostały opracowane już kilka lat temu, ale nie są dostępne na masową skalę ze względu na olbrzymie trudności w ich produkcji oraz małej opłacalności. Teraz ma to się jednak zmienić, a to za sprawą inżynierów z Institute of Metal Research i Chinese Academy of Sciences, którzy poczynili ogromny krok ku ich standaryzacji.
Chińczycy skonstruowali pierwszy na świecie tranzystor bazujący na grafenie z emiterem Schottyego. Tak naprawdę został on złożony z trzech materiałów. Na drodze wykorzystania membrany półprzewodnikowej i transferu grafenu, udało się zbudować tranzystor z górną jednokrystaliczną membraną Si typu n, środkową jednowarstwową z grafenem (Gr) i dolne podłoże na Ge typu n.
Eksperymenty wykazały, że prąd nadajnika Si-Gr w tranzystorze, w porównaniu z dostępnymi emiterami tunelowymi, efektywniej wykorzystał maksymalne napięcie prądu i uzyskał mniejszą pojemność, co przełożyło się na ponad 1000-krotnie mniejsze opóźnienie.
Schemat budowy grafenowego tranzystora. Fot. Institute of Metal Research i Chinese Academy of Sciences.
Chińscy naukowcy informują, że ich urządzenie zaoferuje wzrost częstotliwości z 1 MHz przy wykorzystaniu tradycyjnych tranzystorów do aż 1 Ghz, co przełoży się na powstanie terahercowych układów elektronicznych o niesamowicie wysokiej wydajności. Jednak najważniejszy jest fakt, że struktury półprzewodnik-grafen-półprzewodnik, czyli wykorzystujące materiał przyszłości, w końcu będą opłacalne w produkcji, więc będą mogły być spopularyzowane.
Źródło: GeekWeek.pl/ / Fot. Institute of Metal Research i Chinese Academy of Sciences.
