Superszybka pamięć DRAM dla komórek
Firma Hynix Semiconductor wyprodukowała mobilny nośnik pamięci operacyjnej DRAM o pojemności 512 MB.
Nośnik, o wymiarach 8x10 mm, przetwarza dane z szybkością 1,6 GB/s (400 bps x32) i pracuje z częstotliwością 200MHz. Produkt został opracowany z myślą o komórkach 3G.
Niestety, Hynix nie podał więcej informacji na temat swojego produktu. Wiadomo tylko, że rozmawia z kilkoma producentami, którzy są zainteresowani zamontowaniem tej pamięci w swoich telefonach komórkowych.
PG
