Samsung wprowadza pamięć masową flash o pojemności 128 GB do smartfonów

Nowy interfejs UFS 2.0 jest najbardziej zaawansowaną, zgodną ze standardami JEDEC, specyfikacją pamięci masowych na świecie. W pamięciach UFS zastosowano technologię kolejkowania poleceń, która przyspiesza wykonywanie poleceń na dyskach SSD dzięki szeregowemu interfejsowi, znacznie zwiększającemu tempo przetwarzania danych w porównaniu z 8‑bitowym standardem eMMC. W rezultacie pamięć UFS Samsung przeprowadza 19 000 operacji wejścia/wyjścia na sekundę (IOPS) w odczycie losowym, czyli działa 2,7 razy szybciej w porównaniu do najpopularniejszych obecnie pamięci eMMC 5.0 montowanych w smartfonach z najwyższej półki. Technologia ta zwiększa także szybkość sekwencyjnego odczytu i zapisu do poziomu odpowiadającego dyskom SSD oraz pozwala obniżyć zużycie energii o 50 procent.

Ponadto szybkość odczytu losowego jest 12‑krotnie wyższa w porównaniu z typową szybką kartą pamięci (działającą w tempie 1500 IOPS), co powinno znacznie poprawić wydajność całego systemu.

Firma Samsung przewiduje, że w przyszłości pamięci UFS będą stosowane w najdroższych modelach urządzeń mobilnych, natomiast w urządzeniach ze średniej i taniej półki producenci pozostaną przy rozwiązaniach eMMC.

Pamięć UFS wykonuje zapis losowy w tempie 14 000 IOPS, czyli 28 razy szybciej niż tradycyjna zewnętrzna karta pamięci. Dzięki temu umożliwia płynne odtwarzanie filmów w standardzie UHD i jednoczesne korzystanie z opcji wielozadaniowych, co znacznie podnosi funkcjonalność urządzeń mobilnych.

Pamięci UFS Samsung są dostępne w wersjach o pojemności 128, 64 i 32 GB. Podwojona pojemność w porównaniu z pamięciami eMMC sprawia, że optymalnie nadają się one do zastosowania jako pamięć masowa w najbardziej wymagających urządzeniach mobilnych.

Nowa pamięć UFS Samsung typu ePoP (embedded package on package) nadaje się do montażu bezpośrednio nad procesorem logicznym, co pozwala zaoszczędzić około 50 procent miejsca zajmowanego przez obydwa układy.

Przez najbliższe lata Samsung nadal będzie dyktował tempo rozwoju rozwiązań w dziedzinie pamięci, które łączą wysoką wydajność z dużą pojemnością.