Rewolucja technologiczna w kwestii pamięci jeszcze w tym roku?

W związku z , konieczne jest opracowanie czegoś nowego. Technologia taka już istnieje od jakiegoś i nosi nazwę ReRAM (Resistance Random Access Memory). Według najnowszych plotek SanDisk planuje wprowadzić ją niedługo na rynek konsumencki, na co wskazywać ma ogłoszenie o pracę opublikowane na stronie firmy w ostatnim tygodniu. Rewolucja już za rogiem?

Pamięć ta jest o tyle rewolucyjna, że łączy ona w sobie cechy pamięci DRAM - czyli szybkość - oraz NAND flash - czyli możliwość przechowywania danych po odłączeniu zasilania. Opiera ona swoje działanie o memrystory - czyli tak zwane oporniki z pamięcią. Mogą one służyć do przechowywania jednego bitu informacji (a więc jako pojedyncza komórka pamięci) z tego względu, że ich opornością można sterować elektrycznie - zmienia się ona w zależności od kierunku przepływu prądu - i jest ona zapamiętywania po zupełnym odłączeniu zasilania.

W praktyce daje to możliwość tworzenia dysków o prędkościach transferu danych jakie oferują dziś pamięci DRAM, a więc wręcz astronomicznych. Do tego ReRAM wymaga bardzo mało prądu do działania i może być produkowany w bardzo małych procesach produkcyjnych - a więc może być tani.

ReRAM do tej pory łączony był głównie z HP - które przodowało w opracowywaniu tej technologii. W zeszłym miesiącu jednak temat powrócił za sprawą Elpidy - japoński producent pamięci DRAM zdradził, że udało mu się uzyskać zmiany oporności z szybkością 10 nanosekund. Poza nimi nad ReRAM pracują także m. in. Sony, Panasonic, Micron, Hynix, DSI.

Hynix i Elpida zakładają, że pierwsze gotowe chipsety będą mogli zaprezentować w przyszłym roku.