4 gigabity w jednej kości
Samsung Electronics jest autorem pierwszego czterogigabitowego układu DDR3 DRAM. Kość została wyprodukowana w technologii 50 nanometrów i charakteryzuje się największą gęstością upakowania danych spośród wszystkich podobnych produktów.
Układ, ze względu na niewielkie zużycie energii, powstał przede wszystkim z myślą o zastosowaniach serwerowych. Może on posłużyć zarówno do budowy 16-gigabajtowych kości RDIMM dla serwerów, jak i 8-gigabajtowych układów dla stacji roboczych, pecetów i laptopów. Możliwe jest też budowanie układów o pojemności 32 gigabajtów.
Nowa 4-gigabitowa kość pracuje przy napięciu 1,35 wolta, a więc o 20 proc. mniejszym niż standardowe 1,5 V dla układów DDR3. Biorąc pod uwagę zużycie energii i pojemność, można stwierdzić, że w porównaniu z układami pamięci stworzonymi z 2-gigabitowych kości, propozycja Samsunga oznacza 40-procentową oszczędność energii.
Maksymalna szybkość przesyłu danych wynosi 16 Gb/s.
Mariusz Błoński
