Nowa jakość w 0,13
IBM przedstawił nowy proces produkcyjny układów scalonych o wymiarze technologicznym 0,13 mikrometra, nazwany CMOS 9S. Łączy on w sobie kilka zaawansowanych rozwiązań IBM, w tym SOI (Silicon on Insulator), miedziane połączenia oraz izolację o niskiej stałej dielektrycznej.
Proces CMOS 9S pozwolił m.in. wykonać komórkę pamięci SRAM o rekordowo małej powierzchni 2,16 mikrometra kwadratowego. Inżynierowie z IBM twierdzą, że CMOS 9S jest pierwszym procesem umożliwiającym wykorzystanie zalet SOI, co w połączeniu z dziewięciowarstwowymi miedzianymi połączeniami oraz lepszymi własnościami dielektrycznymi izolacji, zmniejszającymi wzajemne zakłócanie się elementów, pozwoli konstruować ultrawydajne i energooszczędne układy dla informatyki i bezprzewodowej telekomunikacji.
Produkcję pilotowej serii układów w nowej technologii już uruchomiono, natomiast pierwsze seryjne układy mają opuścić fabrykę IBM w Burlington na początku 2001 roku. Można się spodziewać, że wśród pierwszych produktów wykonanych w procesie CMOS 9S będą nowe wersje procesorów Power4.
