Procesory nowej generacji

Intel ujawnia informacje na temat nadchodzącej, 32-nanometrowej technologii produkcji nowej rodziny procesorów, które wejdą na rynek w 2010 roku. Co daje taka technologia? Lepsze, szybsze i energooszczędne procesory.

Wszystkie nowości zostaną zaprezentowane podczas IDF w San Francisco
Wszystkie nowości zostaną zaprezentowane podczas IDF w San FranciscoAFP

Premiera obejmie procesory Core oraz przyszłe produkty SoC (System on a Chip - jak podaje Wikipedia, jest to układ scalony zawierający kompletny system elektroniczny, w tym układy cyfrowe i analogowe).

Intel po raz pierwszy opracował w pełni funkcjonalną technologię wytwarzania układów SoC, która uzupełnia technologię specyficzną dla procesorów - obie używają drugiej generacji tranzystorów z metalową bramką i izolatorem o wysokiej stałej dielektrycznej (High-K and Metal Gate), co zwiększa wydajność i charakterystykę zasilania. Firma podała nowe informacje o obu wersjach procesu 32-nanometrowego, a także o osiągniętym właśnie przełomie - 45-nanometrowej technologii high-k z metalową bramką.

Od listopada 2007 roku Intel dostarczył ponad 200 milionów procesorów 45-nanometrowych z tranzystorami HK+MG. Intelowski, 32-nanometrowy proces produkcyjny został zatwierdzony, a wafle z procesorami Westmere są obecnie przygotowywane do planowanego rozpoczęcia produkcji w IV kwartale.

Druga generacja 32-nanometrowych tranzystorów high-k z metalową bramką cechuje się najwyższą zgłoszoną gęstością spośród wszystkich tranzystorów wytwarzanych w technologii 32- lub 28-nanometrowej o Długość bramki tranzystora, miara gęstości, wynosi 112,5 nm. Długość bramki wskazuje, jak gęsto można upakować tranzystory na danym obszarze. Wyższa gęstość oznacza więcej tranzystorów na danej powierzchni, a zatem większą funkcjonalność i wyższą wydajność.

Do specjalnych cech tej technologii należą tranzystory high-k drugiej generacji z metalową bramką o bardzo niskim poborze mocy, przeznaczone do obwodów z niskim prądem gotowości albo zawsze włączonych, a także wysokonapięciowe tranzystory wejścia-wyjścia.

Masz sugestie, uwagi albo widzisz błąd?
Dołącz do nas