Szybsze pamięci NAND flash firmy Samsung

Nowości wykonywane są w procesie technologicznym 50 nm i wykorzystują rozwiązania MLC (Multi Level Cell), dzięki czemu oferują wyższą szybkość odczytu o ok. 200 proc. i szybkość zapisu o ok. 150 proc. - wyniki zostały porównane z poprzednimi rozwiązaniami MLC.

Jak informuje DigiTimes, masowa produckaj wystartuje w pierwszym kwartale br. Warto pamiętać, że we wrześniu 2006 r. firma Samsung informowała o pracach nad 32-gigabitowymi pamięciami, które wykonywane miały być w procesie 40 nm.

Opracowywanie takich właśnie modułów przybliża koreański koncern do oferowania coraz szybszych i zarazem pojemniejszych rozwiązań, które wykorzystują pamięci flash.