Lepsze niż GeForce i Radeon
Samsung Electronics zaprezentował na konferencji International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) nowe układy pamięci GDDR4, .
Oferują one o 40 proc. mniej szybkości, niż było to wcześniej zapowiadane, ale są za to o wiele bardziej energooszczędne. Pokazana kość 512Mb GDDR4 została wytworzona w procesie technologicznym 80 nanometrów, a jej pobór energii wynosi 1,4 - 2,1 V. Transfer danych to 4 Gb/s (4 gigabity na sekundę, lub 4 GHz) - wynik ten udało się uzyskać gdy układy funkcjonowały z napięciem 2,0V. Wygląda więc na to, że nowość jest szybsza od obecnej generacji chipów GDDR4, które oficjalnie mogą pracować z napięciem 1,9 V.
GGDR4 taktowane zegarem 4,0 GHz dostarczą przepustowość pamięci 16 GB/s. Jeśli układy te zostaną wykorzystane w dzisiejszych kartach graficznych, które posiadają 256-bitową szynę pamięci, rekordowa przepustowość powinna wówczas sięgnąć 128 GB/s - dwukrotnie więcej niż zaoferować może ATI Radeon X1950 XTX (jedyna na rynku karta graficzna wykorzystująca GDDR4).
W przypadku wykorzystania nowych kości GGDR4 Samsunga w nadchodzących kartach graficznych z 512-bitową szyną pamięci, najwyższa przepustowość może wynieść nawet 256 GB/s, prawie trzykrotnie więcej niż 86,4 GB/s, jakie ma do zaoferowania obecnie najszybsza karta graficzna - NVIDIA GeForce 8800 GTX.
