ReRAM - konkurent pamięci flash
Układy pamięci flash są dziś bardzo popularne. Można je znaleźć między innymi w pendrive'ach, odtwarzaczach MP3, telefonach komórkowych czy też kartach pamięci dla kamer cyfrowych. Czy dni tej technologii są policzone?
Pamięć nieulotna to bardzo solidna technologia, która jednak nie nadaje się do pewnych zastosowań - zapisywanie i usuwanie danych z tych nośników trwa bowiem stosunkowo długo, a poza tym ilość zapisów w pojedynczych komórkach pamięci jest ograniczona. Nic więc dziwnego, że producenci półprzewodników od lat poszukują jakiejś alternatywy dla pamięci flash.
Podczas ubiegłorocznej konferencji 2007 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) japoński koncern Fujitsu zaprezentował nowatorski prototyp pamięci ReRAM, który ma stać się konkurentem dla technologii Flash. Oczywiście także inne firmy pracują nad technologią ReRAM (resisitve RAM), która do zapisu danych wykorzystuje zmiany oporności specjalnie dobranych materiałów. Do wyścigu przystąpił także czołowy producent pamięci DRAM i NAND flash - Samsung, który jednocześnie pracuje nad technologią PRAM. Nie próżnują też firmy Matsushita, Sony, japońskie konsorcjum badawcze Selete oraz włoski instytut INFM-CNR, które podczas konferencji IEDM przedstawiły efekty swoich prac nad technologią ReRAM, zwaną też RRAM.
Pojedyncza komórka pamięci ReRAM firmy Fujitsu składa się z tranzystora oraz czterech warstw metali. Pomiędzy dwiema platynowymi warstwami umieszczono powłokę z tlenku tytanu i tlenku niklu z domieszką tytanu. Naukowcy firmy Fujitsu twierdzą, że usunięcie danych z takiej komórki 1T1R trwa zaledwie 5 nanosekund, a zużycie prądu nie przekracza przy tym 100 mikroamperów. Ponadto wahania oporu udało się zredukować do jednej dziesiątej wartości uzyskiwanej przez standardowe komórki ReRAM.
Tymczasem zespół Samsunga stosuje w swoich rezystywnych pamięciach RAM zamiast tranzystorów (1D1R) tak zwane diody oksydowe, a firma Matsushita do wykonania właściwej struktury pamięci zamierza użyć tlenku żelaza.
