Naukowcy stworzyli 1 nm tranzystor

Rozmiar tranzystorów jest bardzo ważnym elementem technologii komputerowej, ponieważ im są one mniejsze, tym więcej możemy ich upchnąć na jednym układzie, uzyskując tym samym wydajniejsze i bardziej efektywne energetycznie procesory. Do tej pory wiele osób uważało jednak, że rozwój w tym zakresie zatrzyma się na 5 nm, ponieważ niższy proces niemożliwy jest z fizycznego punktu widzenia.

Teraz okazało się, że nie jest to prawda, ponieważ zespołowi z Lawrence Berkeley National Laboratory, na czele którego stoi Ali Javey, udało się stworzyć działający tranzystor z bramką o długości 1 nanometra.

Obecnie dość powszechnie stosuje się 14 nm układy, a w przyszłym roku przewidziane jest przejście na 10 nm. Prawo Moore’a zdawało się jednak powoli dobiegać końca, ponieważ naukowcy podkreślali, że w przypadku mniejszego procesu tranzystory znajdują się fizycznie tak blisko siebie, że elektrony doświadczają efektu tunelowego - kluczem okazało się jednak wykorzystanie węglowych nanorurek i disiarczku molibdenu (MoS2).

Disiarczek molibdenu pełni tu rolę półprzewodnika, natomiast węglowe nanorurki robią za bramkę, kontrolując przepływ elektronów - ponadto MoS2 może być produkowany w płachtach o grubości zaledwie 0,65 nanometra.

Oczywiście badania te wciąż są na bardzo wczesnym etapie rozwoju i obecnie stworzono jedynie pojedynczy prototyp. Warto pamiętać, że 14 nm układy potrafią posiadać ponad miliard tranzystorów na jednej kości, a zespół Berkley Lab musi dopiero opracować metodę masowej produkcji nowych 1 nm tranzystorów i umieścić je w układzie scalonym. Przyszłość wygląda jednak obiecująco.