Innowacja IBM i Samsunga doprowadzi do zwiększenia żywotności baterii?
IBM i Samsung ogłosili odkrycie rewolucyjnego sposobu montowania tranzystorów. Znacznie zmniejszy to zużycie baterii przez procesor i może doprowadzić do tego, że w przyszłości smartfony będą działać przez tydzień na jednym ładowaniu.
Choć producenci smartfonów dwoją się i troją, baterie w urządzeniach mobilnych nadal pozostawiają wiele do życzenia. Najpojemniejsze ogniwa w połączeniu z najbardziej zaawansowanymi algorytmami sterowania pracą baterii i tak dają góra dwa dni intensywnego użytkowania telefonu komórkowego zanim znowu trzeba będzie go podpiąć do ładowania. Nowe odkrycie International Business Machines i Samsunga może to zmienić.
IBM i Samsung wspólnie ogłosili, że ich współpraca zaowocowała w nowe odkrycie dotyczące budowy procesorów. Dotychczas półprzewodniki były montowane w chipsetach metodą FinFET. IBM i Samsung znaleźli sposób na zainstalowanie ich wertykalnie metodą Vertical Transport Field Effect Transistors. Dzięki temu możliwe będzie zamontowanie większej ilości tranzystorów na pojedynczym chipie. IBM i Samsung zapowiadają, że może to oznaczać dwukrotnie mocniejsze procesory lub ograniczenie zużycia energii nawet o 85 proc. Tym sposobem baterie w smartfonach będą się o wiele wolniej rozładowywać. Producenci zapowiedzieli też, że jest to krok w kierunku ograniczenia zużycia energii, jakie powoduje kopanie kryptowalut.
Odkrycie IBM i Samsunga może rzeczywiście zwiększyć wydajność i osiągi urządzeń mobilnych. Jednak obawiam się, że nowa metoda została opracowana w złym momencie. Aktualnie branża zmaga się z niedoborem półprzewodników, wiele fabryk wstrzymuje produkcje ze względu na brak komponentów. Jak tu miałoby pomóc implementowanie większej ilości tranzystorów na jednym chipsecie, gdy tych brakuje?
