MRAM – wyścig ku doskonalszej pamięci
Szybka, energooszczędna pamięć, pozwalająca na długie przechowywanie informacji bez zasilania jest wyzwaniem dla współczesnej elektroniki. Nowa pamięć MRAM łącząc cechy pamięci nieulotnej i dynamicznej zapowiada wielkie zmiany?
W 1834 r. Charles Babbage zaprojektował maszynę analityczną, gdzie rolę pamięci pełniły karty perforowane. Obecnie powszechnie stosowaną w komputerach pamięcią jest DRAM (Dynamic Random Access Memory), czyli ulotna pamięć półprzewodnikowa RAM, gdzie każdy bit informacji przechowywany jest w osobnym kondensatorze wewnątrz układu scalonego. Jednak domniemanym ideałem dzisiejszych czasów jest pamięć MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory), przynajmniej tak zwykło sądzić się na przestrzeni ostatniej dekady. MRAM wykorzystuje do zapisu informacji pole elektromagnetyczne, jest szybka, energooszczędna i podobnie jak pamięć flash potrafi zachowywać swoją zawartość długo po odłączeniu od zasilania.
Pionierem prac nad MRAM były firmy Toshiba oraz NEC. Rozpoczęły badania w 2002 r., planując je ukończyć w 2005 r., ale pomimo medialnego szumu wokół spodziewanej rewolucyjnej technologii, produkcja nigdy nie ruszyła. Wtedy tematem zainteresowali się specjaliści z IBM i FreeScale Semiconductor (dawniejsza Motorola). W 2006 r. Freescale wypuściła na rynek 4-megabitowe pamięci MRAM, ale nie zmieniło to mocnej pozycji kości DRAM.
Z końcem poprzedniego roku ofensywę w tej dziedzinie zapowiedziała amerykańska firma Micron Technology, współpracująca z japońskim Tokio Elektron, przy równoczesnym finansowym wsparciu ponad dwudziestu innych firm z Azji oraz Stanów Zjednoczonych. - Tym razem nie ma wątpliwości, że MRAM odniesie pełny sukces" - zapowiada profesor Tetsuo Endoh, lider zespołu badawczego na Uniwersytecie Tohoku w Sendai, gdzie prowadzone są prace nad prototypem.
Zaletą nowej pamięci wykonanej w technologii magnetorezystywnej ma być dziesięciokrotnie wyższa prędkość, dziesięciokrotnie większa pojemność oraz o dwie trzecie mniejsze zużycie energii. Taka charakterystyka MRAM ma zdecydować, że w końcu pokona na rynku kości pamięci DRAM.
Konkurencja nie śpi. Japońska Toshiba nie daje za wygraną. Niedawno rozpoczęła współpracę z południowokoreańską firmą SK Hynix. Podobnie Samsung, który w swoich laboratoriach samodzielnie pracuje nad doskonałą formułą technologiczną. Jednak Micron Technology i Tokio Elektron, stojące na czele sojuszu licznych firm zaangażowanych w projekt, nie obawia się przeciwników i głośno obwieszcza światu masową produkcję MRAM w 2018 r. Zachęca przy tym do udziału w przedsięwzięciu kolejnych inwestorów z USA, Azji, czy Europy.
Analitycy przewidują, że MRAM może odnieść szczególny sukces w urządzeniach mobilnych. Przenośne komputery osobiste byłyby znacznie szybsze, a smartfony mogłyby wytrzymać na jednym cyklu ładowania baterii kilka dni.
Zważywszy, że zespół pod przewodnictwem profesora Tetsuo Endoh ma wsparcie takich firm jak choćby Hitachi, Shin-Etsu Chemical, czy Renesas Electronics, można sądzić, że wreszcie ziści się sen o nowej pamięci, o ile po drodze nie pojawi się atrakcyjniejsza alternatywa i MRAM nie pójdzie w zapomnienie.
