Rewolucyjny hybrydowy układ pamięci

Naukowcy z North Carolina State University opracowali nowe urządzenie, które może znacząco zmienić rynek pamięci komputerowych, a właścicielom olbrzymich farm serwerowych pozwoli na spore obniżenie rachunków za energię elektryczną. Uczeni stworzyli hybrydowe urządzenie, które może działać jak pamięć ulotna oraz nieulotna i być wykorzystywana w roli głównej pamięci komputera.

Obecnie wykorzystywane pamięci komputerowe możemy podzielić na szybko działające układy ulotne (DRAM) oraz na powolne, nieulotne (flash). - Wynaleźliśmy urządzenie, które może zrewolucjonizować pamięć komputerową. Nazywamy je podwójnym tranzystorem polowym. Istniejące pamięci nieulotne korzystają z pojedynczej bramki, która przechowuje ładunek elektryczny. Wykorzystanie podwójnej bramki pozwala na jednoczesne przechowywanie ładunku dla wolniejszej pamięci nieulotnej, jak i dla szybszej - ulotnej - mówi profesor Paul Franzon, współautor nowych pamięci.

Podwójny tranzystor polowy ma liczne zalety. Pozwoli on np. na błyskawiczne uruchamianie komputera, gdyż wyeliminujemy konieczność odwoływania się do dysku twardego podczas startu. Wszelkie dane potrzebne do uruchomienia systemu będą przechowywane w pamięci nieulotnej. Pozwoli to również na zaoszczędzenie olbrzymich ilości energii, a zatem na obniżenie kosztów działalności, właścicielom farm serwerowych.

Farmy takie pochłaniają olbrzymie ilości energii m.in. dlatego, że nawet podczas swojej niewielkiej aktywności, muszą ją bez przerwy dostarczać do układów pamięci. Podwójny FET rozwiązuje ten problem. Dane mogą być przechowywane w części nieulotnej, skąd błyskawicznie można będzie je przesłać do szybko działającej części ulotnej pamięci. Takie rozwiązanie pozwoli na wyłączanie zasilania układów pamięci w czasie, gdy farma nie jest zbyt obciążona, bez spadku wydajności całego systemu. Szczegółowe informacje nt. nowych układów pamięci zostaną opublikowane 10 lutego.

Mariusz Błoński